FDC8878 MOSFET 30V N-Umuyoboro wa PowerTrench MOSFET

Ababikora: KURI Semiconductor

Icyiciro cyibicuruzwa: Transistors - FET, MOSFETS - Ingaragu

Urupapuro rwamakuru:FDC8878

Ibisobanuro: BYINSHI N-CH 30V 8A 6-SSOT

Imiterere ya RoHS: Yujuje RoHS

Ibicuruzwa birambuye

Atributo del producto	Valor de atributo
Imyenda:	onsemi
Categoría de producto:	BYINSHI
RoHS:	Kurangiza
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD / SMT
Paquete / Cubierta:	SSOT-6
Polaridad del transistor:	N-Umuyoboro
Número de canales:	Umuyoboro
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V.
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A.
Rds Kuri - Resistencia entre drenaje y fuente:	16Mhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V.
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V.
Qg - Carga de puerta:	18 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C.
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C.
Dp - Disipación de potencia:	800 mW
Umuyoboro wa Modo:	Gutezimbere
Nombre comercial:	Imbaraga
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Kata Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi / Umukunzi
Configuración:	Ingaragu
Altura:	1,1 mm
Longitud:	Mm 2,9
Tipo de producto:	BYINSHI
Serie:	FDC8878
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	MOSFETS
Tipo de transistor:	1 N-Umuyoboro
Ancho:	1,6 mm
Peso de la unidad:	0.001270 oz